图书介绍

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半导体的检测与分析
  • 中国科学院半导体研究所理化分析中心研究室著 著
  • 出版社: 北京:科学出版社
  • ISBN:13031·2556
  • 出版时间:1984
  • 标注页数:636页
  • 文件大小:21MB
  • 文件页数:641页
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图书目录

目录1

第一章 半导体单晶定向1

§1半导体晶体结构2

§2半导体单晶体的晶向测定6

§3电子计算机定向26

附录29

第二章 半导体晶体缺陷的金相观察37

§1微分干涉相衬显微镜37

§2金相面的制备42

§3金相观察技术56

第三章 X射线形貌技术66

§1X射线动力学理论基础67

§2实验技术80

§3形貌像的铨释88

§4展望95

第四章 离子束分析97

§1背散射表面分析97

§2沟道效应及其在半导体中的应用119

§3核反应分析142

§4离子感生X射线分析153

附录161

第五章 离子探针分析167

§1引言167

§2仪器工作原理168

§3分析原理和方法170

§4应用190

第六章 俄歇电子能谱及其在半导体中的应用198

§1俄歇过程原理和能谱特征199

§2实验仪器205

§3实验方法209

§4AES在半导体中的应用215

§5展望231

附录233

第七章 扫描电子显微镜的原理及其在半导体中的应用239

§1扫描电子显微镜的原理和构造239

§2扫描电子显微镜在半导体中的应用257

第八章 电子探针及其在半导体中的应用299

§1高能电子束与半导体相互作用时的若干现象300

§2仪器简介303

§3电子探针定量分析307

§4电子探针在半导体上的若干应用317

附录328

第九章 透射电子显微镜及其在分析半导体晶体缺陷上的应用332

§1透射电子显微镜的原理332

§2透射电子显微镜的基本构造335

§3衍射图的形成和分析342

§4TEM像衬度349

§5衬度计算的某些结论356

§6其它的TEM技术361

附录369

§1电阻率测量373

第十章 半导体电学测量373

§2C-V测量技术397

§3结电容技术416

§4霍尔测量430

§5少数载流子寿命的测量448

附录465

第十一章 半导体光学测量469

§1几种光学测量方法469

§2光致发光分析方法487

§3红外吸收法测定硅中的氧、碳含量503

第十二章 火花源质谱分析521

§1原理522

§2应用举例532

第十三章 原子吸收分光光度分析及其在半导体536

工艺研究中的应用536

§1原子吸收分光光度分析的理论基础536

§2原子吸收分光光度分析的仪器设备540

§3原子吸收分光光度分析的干扰现象546

§4灵敏度与精密度548

§5原子吸收分光光度分析的操作549

§6应用552

附录574

§1半导体工业生产和研究对高纯气体的要求580

第十四章 高纯气体的分析580

§2高纯气体的分析584

§3气体中灰尘的测量600

§4高纯气体分析时必须注意的问题601

§5低浓度标准气体的配制603

附录606

第十五章 高频电感耦合等离子体发射光谱609

§1高频电感耦合等离子体610

§2高频电感耦合等离子体光源设备614

§3高频电感耦合等离子体的分析性能623

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